如何去除石墨表面的多晶硅

多晶硅的去除方法百度文库

以下是几种常见的多晶硅去除方法： 1酸洗：多晶硅可以通过酸洗的方式去ห้องสมุดไป่ตู้表面的杂质和缺陷。常用的酸洗溶液有浓硝酸、浓氢氟酸和浓盐酸等 2013年5月1日一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置百度文库

如何去除石墨表面的多晶硅

铸造多晶硅中的杂质去除主要是利用合金元素在定向凝固过程中的分凝效应,即不同杂质元素在固相和液相中具有不同的溶解度,使得另外,寻找适合铸造多晶硅表面织构2019年10月23日多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置及方法与流程

一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法 X技术网

2009年8月5日为了解决上述问题，本发明采用的方案为一种去除原生多晶硅棒端面石墨夹头的方法，先将多晶硅棒两端带有石墨夹头的原料敲下来，再将原料破碎成小块，然后 2020年5月24日主要技术方案为：一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置，包括: 机架、导轨、夹持机构、磨削驱动机构和磨头；导轨固定地设置在机架上；夹持机构设置在导轨一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置及方法专利检索地压气

一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置CNU

2019年8月23日本专利由新疆大全新能源股份有限公司申请，公开，本实用新型涉及多晶硅加工技术领域，具体涉及一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置，其包括:机 2011年11月23日本发明实施例公开了一种多晶硅清洗方法，该方法包括：将多晶硅置于SC1清洗液中对其进行次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行次漂洗；采用臭氧对所多晶硅清洗方法百度文库

一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置的制作方法

2020年4月24日多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学反 2019年2月10日利用自主研制的EBC去除装置，结合涂层去除前后的表面形貌分析，探究了去除工艺参数对涂层去除效果的影响规律，实现了涂层去除并明确了基体无损伤特征， SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 csejournal

从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程

2021年3月26日首先，将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中，由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块（lump）状以便于熔融。硅的熔点大约为1420℃，因此炉内要用石墨隔热材料，炉壁要用水冷等隔热散热。首先将称为籽晶（seed）的短棒状或 2011年10月19日呵呵，石墨够稳定的，燃烧是个不错的方法，估计这也是没办法的办法我还在这只需用刀片轻轻刮去就可以啦反正最终还要用磨床磨平的 wkookey 引用回帖: 4楼: Originally posted by yangzhangfu at 19:44:28: 你可能是指在砂纸上磨吧，上磨床。化学方法？呵呵热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？非金属小木虫

一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法与流程 X技术网

2023年4月18日 3、一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法，包括以下步骤： 4、s1，将待清洗石墨舟置于水汽氧化炉内，于200300℃条件下通入水蒸气至炉内压力为1020个大气压，阶梯式升温至11001200℃，保温35h，惰性气氛下降温，得预处理石墨舟； 5、s2，将所述预处理石墨舟 2024年1月25日您在查找多晶硅石墨陶瓷的正确清洗方法吗？抖音综合帮你找到更多相关视频、图文、直播内容，支持在线观看。更有海量高清视频、相关直播、用户，满足您的在线观看需求。多晶硅石墨陶瓷的正确清洗方法抖音

一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 X技术网

2020年6月30日步骤s202：将待清理lpcvd石英舟置入高温炉中。步骤s203：在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应。步骤s204：排出废气，得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。本具体实施方式与上述具体实施方式的不同 2021年9月10日 16本发明的技术方案如下： 17一种利用激光诱导气泡空化去除金刚石表面石墨的方法，包括步骤： 18 (1)将表面含有石墨的金刚石浸没于溶剂中； 19 (2)激光在步骤 (1)中表面含有石墨的金刚石上方聚焦进行扫描，利用激光诱导产生射流以及气泡空化产生一种利用激光诱导气泡空化去除金刚石表面石墨的方法 X技术网

[求助]如何去掉石墨？化工小木虫学术科研互动社区

在石墨表面长有片状镍，想把石墨除去，但是又不改变镍的晶型，石墨是微米级球形的。请教各位有没有好办法？小木虫登陆注册首页导读期刊发现社区招聘老师当前位置：首页 > 化工 > [求助]如何去掉石墨 2011年8月11日评论怎么样能把金刚石微粉中的石墨除去，或者用化学试剂反应掉提纯金刚石微粉的方法收集如下： 1采用的硝酸铵和其他胺类化合物在180℃～200℃分解破坏纳米金刚石表面吸附的石墨和有机炭黑的结构，降低纳米金刚石表面怎么样能把金刚石微粉中的石墨除去，或者用化学试剂反应掉

多晶硅碳头料的硅碳分离方法百度学术

2009年10月19日摘要：本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法,包括硅碳分离,清洗和表面处理步骤,硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100:(50200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中,在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡058小时;表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入 2024年5月17日刻蚀速率 (EtchRate)是衡量刻蚀过程中去除材料快慢的物理量。这是一个非常重因为它直接影响刻蚀工艺的效率。刻蚀速率定义为单位时间刻蚀工艺引起的薄膜厚度变化。为了计算刻蚀速率,必须测量刻蚀前后的薄膜厚度,并记录刻蚀时间。刻蚀前的薄膜刻蚀工艺介绍清华大学出版社

多晶硅异常料的分析及解决办法

2022年6月14日氧化夹层成为衡量多晶硅质量的一个重要指标，本文通过异常料的产生原因，产生过程以及相关具体控制方法来研究和解决异常料的问题，通过过程控制来逐步分析和解决异常料的产生，并从根本上消除异常料，经过不断摸索将异常料的比例降为零。关键词 2012年3月27日 1多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃ 多晶硅研究系列1：三大生产工艺的比较 1多晶硅的

多晶硅的表面金属杂质引入探讨百度文库

多晶硅的表面金属杂质引入探讨响下游产品的各种性能，所以在多晶硅的生产过程中，尤其是产品出炉后的各个后续处理过程中，必须尽可能的避免在多晶硅中引入各种杂质，保证多晶硅不被污染。为了摸索多晶硅出炉后 2021年12月31日然而，完全去除石墨烯表面的 PMMA 变得很麻烦，PMMA 残留物会显着降低石墨烯的性能。我们在这里报告了一种简便的水辅助技术，首次直接剥离厘米大小的 CVD 石墨烯薄膜上的 PMMA 层。整个转移过程不涉及有机溶剂。由于毛细管力和范德华力的 PMMA 直接剥离用于厘米级 CVD 石墨烯的快速有机自由转移

一种去除石墨表面氮化镓基化合物的方法3 X技术网

2015年9月23日而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。 1 一种去除石墨盘表面氮化镓基化合物的方法，所述石墨盘放置在真空高温炉内，其特征在于，所述方法：升高温度至500°C900°C，使用N2分知乎专栏

石墨材料在光伏行业中的应用

2017年8月10日从以上石墨的居多优良特性中可以看出, 石墨作为一种工业生产原料,有着很多独特的优点,因此石墨材料在工业生产中有着广泛的应用,尤其是在光伏行业快速发展的今天,石墨材料得到了更加普遍的应用。高纯石墨的生产方法石墨深加工产业的前提是提纯，石 2023年10月25日 1高效率清洗：等离子体清洗机利用等离子体产生的高能离子束，对石墨表面进行清洗，能有效地去除石墨表面的污垢和有机物质，达到高效清洗的效果。 2亲水性提高:等离子清洗机清洗后，可以提高石墨表面的亲水性，提高表面的附着力。这有助于提高如何借助等离子清洗机提高石墨表面的清洁度和亲水性?材料

一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置百度文库

2013年5月1日一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在 2021年1月26日一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法与流程 2023年4月18日因此，需要对石墨舟进行清洗，以去除其表面的多晶硅层。 3目前，石墨舟的清洗方法主要包括干法去除(如激光、等离子刻蚀等)、湿法去除(化学药液清洗法)。由如何去除石墨表面的多晶硅

多晶硅表面金属杂质的清除百度学术

1996年8月12日主权项：从块状或颗粒状多晶硅的表面除去金属杂质的方法,包括：a ．把金属杂质和多晶硅暴露于气相卤素腐蚀剂中,使气相卤素腐蚀剂与暴露的金属杂质反应形成金属卤化物；b．使金属卤化物挥发到多晶硅表面附近的气体中；c．从所说的气体中除去挥发 2018年7月7日而利用酸液浸泡去除石墨的方法 (cn3x、cn29、cn28等)，对环境污染严重，且分离出的多晶硅同样没有去除碳化硅层。本发明避免了这些问题，提供了一种经济实用的有效分离完整碳头料上的石墨与多晶硅并实现多晶硅一种原生多晶硅碳硅分离工艺及其使用装置的制作方法

清洗硅料生产流程整理进行

2021年4月6日一、主要生产设备二、工艺流程简述本项目包括3种产品，因此包含3种清洗工艺，分别如下：, (1)原生多晶硅清洗流程原生多晶硅的清洗要求：是用混酸洗（氢氟酸、硝酸）,去除表面的灰尘、表面的氧化物、表面的金属杂质及其他一些附属物，使其达到更加的 2011年11月23日多晶硅清洗方法（57）摘要本发明实施例公开了一种多晶硅清洗方法，该方法包括：将多晶硅置于SC1清洗液中对其进行次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行次漂洗；采用臭氧对所述多晶硅进行次干燥处理；将多晶硅置于硝酸和氢氟酸的混多晶硅清洗方法百度文库

Hkmg 后道工序的虚拟多晶硅去除影响因素及改进,ECS

2020年3月31日本文研究了影响虚拟多晶硅去除过程的因素，并提出了一些模型来解释影响因素。注入工艺是影响虚拟多晶硅去除能力的主要因素之一，因为在虚拟多晶硅中注入离子和掺杂量的差异会导致湿法工艺去除多晶硅的速率不同。我们还研究了聚表面单次清洁、多 2018年6月23日 SC1溶液旨在去除硅、氧化物和石英表面的有机污染物，这些污染物会受到氢氧化铵的溶剂化作用和碱性氢的强大氧化作用的侵蚀过氧化物。SC2溶液旨在溶解并去除硅表面的碱残留物和任何残留的微量金属，例如Au和Ag，以及金属氢氧化物，包括Al(OH)3、Fe(OH)3、Mg(OH)2和Zn(OH)2。水痕去除的有效方法多晶硅金属硅化物制程中水痕问题的

多晶硅中氧化夹层的消除百度文库

多晶硅中氧化夹层的消除 21由于硅芯表面污染而造成的夹层。 a）硅芯表面的氧化层未腐蚀干净。 b）装炉时没按照洁净要求安装，硅芯受到污染：手指印痕、颗粒粉尘、汗渍等。 22还原炉内存有水分，通料时产生夹层。 a）还原炉内的气体（氢气或是氮气知乎专栏随心写作，自由表达知乎

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究工程 CAE

2000年1月20日随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜05μm）和亚四分之一微米级（＜025μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量，提高晶体完整性，降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。2022年4月2日 5本发明的目的在于提供一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法，以解决上述背景技术中现有技术提到的问题。 6为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法包括如下步骤： 7步：在喷射清洗设备内填充碳酸氢一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法与流程 X技术网

太阳能多晶硅片表面污染物去除技术的研究百度学术

采用超声波清洗工艺,研究了超声波功率,清洗温度,清洗时间和清洗剂浓度对污染硅片清洗后表面接触角的影响,确定了硅片清洗剂的最佳实验室清洗工艺为超声功率80W,温度60℃,清洗时间5min,清洗剂浓度10%分别采用MT硅片清洗技术和RCA清洗技术,研究了两种2011年10月19日呵呵，石墨够稳定的，燃烧是个不错的方法，估计这也是没办法的办法我还在这只需用刀片轻轻刮去就可以啦反正最终还要用磨床磨平的 wkookey 引用回帖: 4楼: Originally posted by yangzhangfu at 19:44:28: 你可能是指在砂纸上磨吧，上磨床。化学方法？呵呵热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？非金属小木虫

知乎专栏

2023年12月20日等离子清洗机对处理石墨舟氮化硅残质具有的优势：1充分清洗，等离子体不受材料的形状和厚度的影响，能够对石墨舟内外进行充分的清洗处理。 2不损伤基体性能，，只作用在材料表面。 3环保无污染，全程干燥的处理方式，不消耗水资源、无需添加等离子清洗机可解决PECVD工艺石墨舟残留的氮化硅

浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除中国期刊网

石墨表面逐渐被硅覆盖(生产现场的石墨实际上是被晶体硅覆盖)，所以石墨是可以产生少量甲烷，直到它逐渐不可用。 2CH4与碳的沉积。氢气分为两部分:新氢和回收氢，在生产过程中发现，如果处理氢的CH4含量超过2 ppmV，则与多晶硅的正碳含量有关。2023年4月26日 2、方面，本申请提供一种去除碳化硅上石墨的方法，采用如下的技术方案： 3、一种去除碳化硅上石墨的方法，包括以下步骤： 4、s1、将带有石墨基底的碳化硅置于加热容器中； 5、s2、向加热容器中通入氧气，并抽真空； 6、s3、以阶梯升温保温一种去除碳化硅上石墨的方法与流程 X技术网

太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除百度文库

2011年5月18日目前B、P杂质去除困难大、成本高，已成为高效晶体硅太阳电池发展的技术阻力。因此，研究多晶硅生产中B、P杂质的去除方法、工艺技术，从而获得低成本、高纯度的多晶硅材料，以保障高效晶体硅太阳电池的高效、可靠、稳定性，具有重要的意义[3]。2023年11月16日本发明属于多晶硅生产领域，具体涉及一种颗粒硅表面粉尘连续去除方法和装置。背景技术： 1、20世纪80年代美国联合碳化公司开发流化床法颗粒硅的工艺，改法产率高，相比于传统棒状硅，颗粒硅表面积大，按重量百分比由025％3％的粉末或者灰尘，实际生产过程中需对颗粒硅表面附着硅粉进行一种颗粒硅表面粉尘连续去除方法和装置与流程

半导体制造流程（四）硅淀积和刻蚀淀积多晶硅CSDN博客

2023年6月12日文章浏览阅读456次。如下图，将晶圆装在一个感应加热承载块上，通二氯硅烷和氢气，并在晶圆表面发生反应，并形成一层生长缓慢的单晶硅，无须抛光工艺。光刻多晶硅首先采用类似于外延的设备在晶圆上淀积多晶硅，然后再晶圆上涂上光刻胶，光刻并且刻蚀以选择性地去除多晶硅，现代工艺中摘要：本申请公开了一种去除石墨盘表面氮化镓基化合物的方法,所述石墨盘放置在真空高温炉内,所述方法包括:升高温度至500℃900℃,使用N2分压,去除真空高温炉内及石墨盘上的杂质和水分;升高温度至1050℃1100℃,使用H2+N2混合气分压裂解氮化镓基化合物,同时去除氧化物;升高温度至1350℃1360℃,无分压一种去除石墨表面氮化镓基化合物的方法百度学术